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氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈分析、競爭格局及替代空間分析（附報告目錄）

1、氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析

GaN產(chǎn)業(yè)鏈一般劃分為上游的材料即襯底和外延片、中游的器件和模組、下游的系統(tǒng)和應(yīng)用。GaN材料的應(yīng)用，主要包括襯底制備和外延工藝兩個環(huán)節(jié)。襯底是制作半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)材料，一般為外延材料的同質(zhì)材料或適配的異質(zhì)材料制成的晶圓片。半導(dǎo)體行業(yè)的外延概念，是指在襯底上生長一層新單晶薄膜的過程，新單晶薄膜可以與襯底為同質(zhì)材料，也可以是異質(zhì)材料。經(jīng)過外延生長環(huán)節(jié)制成的外延片，是半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)原材料。

相關(guān)報告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2027年氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)細分市場研究與投資前景預(yù)測報告》

氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖

資料來源：普華有策

氮化鎵（GaN）材料是第三代半導(dǎo)體的代表，其具有出色的抗擊穿能力，耐受更高的電子密度，有更高的電子遷移率，在半導(dǎo)體中通常用于光電子、微波射頻和電力電子三大領(lǐng)域。其中，光電子領(lǐng)域包括了LED、激光器等應(yīng)用，電力電子方向包括了智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等應(yīng)用，微波射頻方向包含了通信、雷達預(yù)警等應(yīng)用。

GaN是藍、綠光LED的基礎(chǔ)材料，1992年，日亞化學工業(yè)株式會社的中村修二等人借助藍寶石襯底和氮化鎵銦（InGaN）材料成功實現(xiàn)了高光輸出效率藍光LED的產(chǎn)業(yè)化，其后在藍光LED芯片上涂覆黃色熒光粉的封裝技術(shù)出現(xiàn)，實現(xiàn)了可以實用化的白光LED產(chǎn)品，開啟了半導(dǎo)體照明及全彩色LED顯示應(yīng)用的新時代。

藍寶石是目前GaN器件使用量最大、最成熟的襯底材料，通過藍寶石襯底制造的GaN器件通常被歸類為藍寶石上氮化鎵技術(shù)產(chǎn)品（GaN on Sapphire），大部分光電應(yīng)用的GaN器件都是通過藍寶石襯底外延GaN制造的。GaN半導(dǎo)體器件的另外兩種常用襯底是Si和SiC，通常稱為GaN-on-Si（硅基氮化鎵）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵）器件，目前主要應(yīng)用在射頻器件、功率器件等領(lǐng)域。

2、第三代半導(dǎo)體潛在市場空間巨大

GaN主要用于LED、微波射頻和功率器件等領(lǐng)域，目前GaN主要被用于5G有源天線系統(tǒng)（AAS）和手機功率放大器（PA）等新產(chǎn)品中。展望未來，5G通訊、消費電子快充和車規(guī)級充電成為GaN產(chǎn)品規(guī)模擴張的主要動力。

在5G和更高頻率應(yīng)用中，GaN的效率比LDMOS/硅器件要高10%-15%，預(yù)計在5G基站PA中份額將持續(xù)提升；手機快充逐漸普及，消費級快充將成為推動GaN功率器件滲透的重要因素。GaN RF市場規(guī)模將從2019年的7.4億美元增長至超過20億美元，年復(fù)合增長率為12%；此外，預(yù)計2024年GaN電源市場產(chǎn)值將超過3.5億美元，CAGR達85%，其中GaN快充將成為推動產(chǎn)業(yè)高成長的主要力量。

3、市場格局分析及替代空間廣闊

從GaAs、GaN和SiC市場競爭格局來看，目前化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)以歐美、日韓和中國臺灣企業(yè)為主，大陸企業(yè)在技術(shù)實力、產(chǎn)能規(guī)模和市場份額方面與領(lǐng)先企業(yè)均具有不小差距，市場話語權(quán)較弱。以砷化鎵為例，GaAs產(chǎn)業(yè)鏈可分為上游外延片、中游晶圓制造和下游GaAs元件三大環(huán)節(jié)，三大環(huán)節(jié)均以海外為主導(dǎo)。其中，上游外延片前三大廠商分別為英國廠商IQE（54%）、臺灣廠商VPEC（占比25%）和日本廠商住友化學（SumitomoChemical），CR3高達92%；中游晶圓代工領(lǐng)域臺灣廠商穩(wěn)懋一家獨大，市場占有率高達71.1%；下游GaAs企業(yè)市占率前三均被美國廠商把持，分別為：Skyworks（32.3%）、Qorvo（26.0%）和Broadcom（9.1%），CR3為67.4%。大陸企業(yè)GaAs產(chǎn)業(yè)鏈競爭格局處于弱勢，在單晶制造、外延片中的射頻器件、IDM中的射頻器件等環(huán)節(jié)競爭力相對缺失。

GaN方面，GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈包括上游襯底及外延片、中游器件設(shè)計與制造和下游產(chǎn)品應(yīng)用等環(huán)節(jié)，目前行業(yè)模式以IDM為主，但設(shè)計與制造環(huán)節(jié)已開始出現(xiàn)分工。其中，住友電工在GaN襯底領(lǐng)域一家獨大，市場份額超過90%，外延片龍頭包括IQE、COMAT等；GaN制造環(huán)節(jié)代表性企業(yè)包括穩(wěn)懋、富士通和臺積電，大陸方面以三安光電為代表。

報告目錄：

第一章 氮化鎵行業(yè)概況

第一節(jié) 氮化鎵基本介紹

一、氮化鎵簡介

二、氮化鎵形成階段

三、氮化鎵性能優(yōu)勢

四、氮化鎵半導(dǎo)體作用

第二節(jié) 氮化鎵材料的特性

一、結(jié)構(gòu)特性

二、化學特性

三、光學特性

四、電學性質(zhì)

第三節(jié) 氮化鎵的制備方法

一、金屬有機化學氣相沉積（mocvd）技術(shù)

二、分子束外延（mbe）技術(shù)

三、氫化物氣相外延（hvpe）技術(shù)

四、脈沖激光沉積（pld）技術(shù)

第四節(jié) 氮化鎵行業(yè)發(fā)展環(huán)境（pest）分析

一、行業(yè)政策環(huán)境分析

1 、監(jiān)管體制分析

2 、相關(guān)政策分析

二、行業(yè)經(jīng)濟環(huán)境分析

1 、中國gdp增長情況分析

2 、工業(yè)經(jīng)濟發(fā)展形勢分析

3 、社會固定資產(chǎn)投資分析

4 、全社會消費品零售總額

5 、城鄉(xiāng)居民收入增長分析

6 、居民消費價格變化分析

7 、對外貿(mào)易發(fā)展形勢分析

三、行業(yè)社會環(huán)境分析

1 、人口環(huán)境分析

2 、教育環(huán)境分析

3 、文化環(huán)境分析

4 、中國城鎮(zhèn)化率

四、行業(yè)技術(shù)環(huán)境分析

第二章 2016-2020年半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展全面解析

第一節(jié) 半導(dǎo)體材料相關(guān)概述

一、第一代半導(dǎo)體材料

二、第二代半導(dǎo)體材料

三、第三代半導(dǎo)體材料

第二節(jié) 2016-2020年中國半導(dǎo)體材料所屬行業(yè)運行情況分析

一、行業(yè)銷售規(guī)模

二、市場格局分析

三、市場研發(fā)情況分析

四、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級

五、行業(yè)成果分析

第三節(jié) 半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策

一、行業(yè)發(fā)展滯后

二、產(chǎn)品同質(zhì)化嚴重

三、供應(yīng)鏈不完善

四、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新不足

五、行業(yè)發(fā)展建議

第四節(jié) 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望

一、行業(yè)發(fā)展趨勢預(yù)測分析

二、行業(yè)需求分析

三、行業(yè)前景預(yù)測

第三章 2016-2020年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析

第一節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述

一、產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

二、民用市場起步

三、國產(chǎn)化將加速

四、成本競爭分析

五、GaN應(yīng)用項目

第二節(jié) 2016-2020年氮化鎵市場發(fā)展動況

一、射頻氮化鎵市場快速增長

二、GaN器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸

三、GaN市場增長驅(qū)動因素

第三節(jié) 氮化鎵材料專利分析

一、氮化鎵專利時間及區(qū)域分布

二、氮化鎵專利技術(shù)布局

三、氮化鎵重點研發(fā)機構(gòu)

四、氮化鎵高價值專利分析

第四章 2016-2020年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析

第一節(jié) 發(fā)光二極管（led）

一、發(fā)光二極管（led）發(fā)展概述

二、發(fā)光二極管（led）市場發(fā)展情況分析

三、2016-2020年中國發(fā)光二極管所屬行業(yè)進出口數(shù)據(jù)分析

四、氮化鎵基藍綠光led發(fā)展歷程

五、氮化鎵在led領(lǐng)域的技術(shù)突破

第二節(jié) 場效應(yīng)晶體管（fet）

一、場效應(yīng)晶體管發(fā)展概述

二、GaNfet與硅fet的比較分析

三、氮化鎵fet研究進展

第三節(jié) 激光二極管（ld）

一、激光二極管發(fā)展概述

二、激光二極管背景技術(shù)

三、2016-2020年中國激光器所屬行業(yè)進出口數(shù)據(jù)分析

四、激光二極管研究現(xiàn)狀調(diào)研

1 、激光器國內(nèi)外主要廠商以及氮化鎵襯底使用分析

（1）激光器國內(nèi)外主要廠商

（2）激光器氮化鎵襯底使用

2 、激光二極管市場規(guī)模及國內(nèi)外主要廠商占比分析

3 、2021-2027年激光二極管行業(yè)市場發(fā)展前景

四、GaN基激光器研究現(xiàn)狀調(diào)研

五、GaN基激光器的應(yīng)用

第四節(jié) 二極管（diodes）

一、二極管（diodes）發(fā)展概述

二、2016-2020年中國二極管所屬行業(yè)進出口數(shù)據(jù)分析

三、垂直GaN二極管技術(shù)突破

第五節(jié) 太陽能電池（solarcells）

一、2016-2020年中國太陽能電池所屬行業(yè)進出口數(shù)據(jù)分析

二、InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述

三、InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素

四、InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝

五、InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望

第五章 2016-2020年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析

第一節(jié) 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

一、發(fā)展電力電子器件產(chǎn)業(yè)的重要意義

二、電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析

三、電力電子器件的市場分析及預(yù)測

三、GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢

四、GaN電力電子器件研究進展

五、GaN電力電子器件發(fā)展問題

六、電力電子器件市場未來發(fā)展方向

第二節(jié) 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

一、新能源行業(yè)發(fā)展形勢

二、新能源發(fā)電裝機規(guī)模

三、GaN在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

四、GaN大功率器件需求潛力

第三節(jié) 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

一、發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義

二、智能電力設(shè)備發(fā)展分析

三、智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)

四、GaN大功率器件需求潛力

第四節(jié) 氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

一、通訊設(shè)備市場需求分析

二、通訊設(shè)備制造業(yè)運行分析

三、GaN大功率器件需求潛力

第五節(jié) 氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析

一、GaN在4c產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

二、GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用

三、GaN對自動駕駛汽車的應(yīng)用

四、GaN在紫外探測領(lǐng)域的應(yīng)用

五、GaN在紅外探測領(lǐng)域的應(yīng)用

六、GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用

七、GaN在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用

第六章 國際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析

第一節(jié) A

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營情況分析

三、企業(yè)主要微波射頻產(chǎn)品

第二節(jié) B

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營情況分析

三、主要氮化鎵產(chǎn)品及應(yīng)用

第三節(jié) C.

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營情況分析

三、企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布動態(tài)

第七章 中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析

第一節(jié) A公司

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營情況分析

三、企業(yè)主營業(yè)務(wù)

第二節(jié) B公司

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)制造能力

三、企業(yè)項目進展

第三節(jié) C公司

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)人才隊伍

三、企業(yè)資質(zhì)和榮譽

四、主營業(yè)務(wù)與專利技術(shù)

五、企業(yè)發(fā)展與規(guī)劃

第四節(jié) D公司

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營情況分析

三、氮化鎵半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

四、未來前景展望

第五節(jié) E公司

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營情況分析

三、GaNLED芯片業(yè)務(wù)

四、未來前景展望

第八章 2021-2027年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測

第一節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析

一、產(chǎn)業(yè)投資機會

二、企業(yè)投資動態(tài)

第二節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景

一、市場發(fā)展機遇

二、未來競爭空間

三、市場發(fā)展?jié)摿?/span>

第三節(jié) 2021-2027年氮化鎵市場預(yù)測分析

一、影響因素分析

二、市場規(guī)模預(yù)測分析