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半導體測試設(shè)備行業(yè)五大壁壘構(gòu)成（附報告目錄）

1、半導體測試設(shè)備行業(yè)概況

半導體測試設(shè)備主要包括測試系統(tǒng)（也稱為“測試機”）、探針臺和分選機。其中測試系統(tǒng)是檢測芯片功能和性能的專用設(shè)備。在測試設(shè)備中，測試系統(tǒng)用于檢測芯片功能和性能，技術(shù)壁壘高，尤其是客戶對于半導體測試在測試功能模塊、測試精度、響應(yīng)速度、應(yīng)用程序開發(fā)平臺通用性、平臺可延展性以及測試數(shù)據(jù)的存儲、采集和分析等方面提出愈來愈高的要求。探針臺與分選機實現(xiàn)被測晶圓/芯片與測試系統(tǒng)功能模塊的連接。

相關(guān)報告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2026年半導體行業(yè)市場專題研究及投資可行性評估報告》

測試系統(tǒng)對芯片施加輸入信號，采集被檢測芯片的輸出信號與預期值進行比較，判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性。作為重要的半導體專用設(shè)備，測試系統(tǒng)不僅可判斷被測芯片的合格性，還可提供關(guān)于設(shè)計、制造過程的薄弱環(huán)節(jié)信息，有助于提高芯片制造水平。因此，檢測設(shè)備作為能夠優(yōu)化制程控制良率、提高效率與降低成本的關(guān)鍵，未來在半導體產(chǎn)業(yè)中的地位將會日益凸顯。

根據(jù)工藝環(huán)節(jié)不同，測試系統(tǒng)主要用于晶圓測試和成品測試。晶圓檢測是指在晶圓出廠后進行封裝前，通過探針臺和測試系統(tǒng)配合使用，對晶圓上的芯片進行功能的測試。其測試過程為：探針臺將晶圓逐片自動傳送至測試位置，芯片的Pad 點通過探針、專用連接線與測試設(shè)備的功能模塊進行連接，測試系統(tǒng)對芯片施加輸入信號、采集輸出信號，判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性。測試結(jié)果通過通信接口傳送給探針臺，探針臺據(jù)此對芯片進行打點標記，形成晶圓的 Map 圖。該環(huán)節(jié)的目的是在芯片封裝前，盡可能的將無效的芯片標記出來以節(jié)約封裝費用。

成品測試是指芯片完成封裝后，通過分選機和測試系統(tǒng)配合使用，對芯片進行功能和電參數(shù)性能測試，保證出廠的每顆芯片的功能和性能指標能夠達到設(shè)計規(guī)范要求。其測試過程為：分選機將被檢測芯片逐個自動傳送至測試工位，被檢測芯片的引腳通過測試工位上的測試爪、專用連接線與測試系統(tǒng)的功能模塊進行連接，測試系統(tǒng)對芯片施加輸入信號、采集輸出信號，判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性。測試結(jié)果通過通信接口傳送給分選機，分選機據(jù)此對被測試芯片進行標記、分選、收料或編帶。該環(huán)節(jié)是保證出廠每顆集成電路功能和性指標能夠達到設(shè)計規(guī)范要求。

資料來源：普華有策整理

2、半導體測試系統(tǒng)行業(yè)概況

半導體測試系統(tǒng)又稱半導體自動化測試系統(tǒng)，與半導體測試機同義。兩者由于翻譯的原因，以往將 Tester 翻譯為測試機，諸多行業(yè)報告沿用這個說法，但現(xiàn)在越來越多的企業(yè)將該等產(chǎn)品稱之為 ATE system，測試系統(tǒng)的說法開始流行，整體上無論是被稱為 Tester 還是 ATE system，皆為軟硬件一體。

半導體測試機測試半導體器件的電路功能、電性能參數(shù)，具體涵蓋直流（電壓、流）、交流參數(shù)（時間、占空比、總諧波失真、頻率等）、功能測試等。

資料來源：普華有策整理

半導體測試貫穿了半導體設(shè)計、生產(chǎn)過程的核心環(huán)節(jié)，具體如下：

第一、半導體的設(shè)計流程需要芯片驗證，即對晶圓樣品和封裝樣品進行有效性驗證；

第二、生產(chǎn)流程包括晶圓制造和封裝測試，在這兩個環(huán)節(jié)中可能由于設(shè)計不完善、制造工藝偏差、晶圓質(zhì)量、環(huán)境污染等因素，造成半導體功能失效、性能降低等缺陷，因此，分別需要完成晶圓檢測（CP, Circuit Probing）和成品測試（FT,Final Test），通過分析測試數(shù)據(jù)，能夠確定具體失效原因，并改進設(shè)計及生產(chǎn)、封測工藝，以提高良率及產(chǎn)品質(zhì)量。無論哪個環(huán)節(jié)，要測試芯片的各項功能指標均須完成兩個步驟：一是將芯片的引腳與測試機的功能模塊連接起來，二是通過測試機對芯片施加輸入信號，并檢測輸出信號，判斷芯片功能和性能是否達到設(shè)計要求。

半導體測試系統(tǒng)測試原理如下：

資料來源：普華有策整理

隨著半導體技術(shù)不斷發(fā)展，芯片線寬尺寸不斷減小，耐高壓、耐高溫、功率密度不斷增大、制造工序逐漸復雜，對半導體測試設(shè)備要求愈加提高，測試設(shè)備的制造需要綜合運用計算機、自動化、通信、電子和微電子等學科技術(shù)，具有技術(shù)含量高、設(shè)備價值高等特點。

根據(jù) SEMI 的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，測試設(shè)備中測試機在晶圓和成品兩個環(huán)節(jié)皆有應(yīng)用，因此占比最大達到 63.1%，其他設(shè)備分選機占 17.4%、探針臺占 15.2%。按照 SEMI 對全球半導體專用設(shè)備市場規(guī)模發(fā)展的預測，2020 年及 2021 年，全球半導體測試設(shè)備市場規(guī)?；?qū)⒎謩e達到 52.2 億美元及 56.1 億美元。

目前通過多年的技術(shù)積累，國內(nèi)企業(yè)在模擬 IC 和功率半導體測試機領(lǐng)域國產(chǎn)化替代有了相當?shù)倪M步，但在技術(shù)難度最高的 SoC 與存儲類芯片測試領(lǐng)域還需要更多的突破。

3、半導體激光打標設(shè)備行業(yè)概況

半導體封裝測試環(huán)節(jié)包括晶圓研磨及切割、上片、焊線、塑封、激光打印、切割成型、測試。其中激光打印涉及的生產(chǎn)設(shè)備為激光打標設(shè)備，其主要作用為在半導體元器件上高速打印器件公司名稱及產(chǎn)品型號等內(nèi)容，是封裝環(huán)節(jié)的必要設(shè)備，屬于半導體封裝測試設(shè)備。

半導體激光打標是通過計算機控制軟件，利用高能量密度的激光對工件進行局部照射，使表層材料汽化或發(fā)生顏色變化的化學反應(yīng)，快速在芯片上留下永久性標記的一種打標方法。在封裝產(chǎn)線上，激光打標設(shè)備與分選機相連接，通過分選機的分選，傳送，激光打標設(shè)備在芯片上完成打印標識，因此，行業(yè)內(nèi)也將激光打標設(shè)備歸類到分選設(shè)備類別中，半導體激光打標設(shè)備是激光打標技術(shù)在半導體后道封測環(huán)節(jié)的一個應(yīng)用分支。

半導體激光打標設(shè)備在后道封測的應(yīng)用如下圖所示：

資料來源：普華有策整理

在半導體應(yīng)用領(lǐng)域，激光打標設(shè)備優(yōu)劣的主要衡量指標主要包括打標的效率（UPH 值），重復精度以及其控制系統(tǒng)能否與封裝產(chǎn)線集成，實現(xiàn)加工信號和數(shù)據(jù)的精準傳遞以及精益生產(chǎn)系統(tǒng)的全流程管理。作為封測工藝的一環(huán)，激光打標的 UPH 值會影響封測產(chǎn)線整體的生產(chǎn)效率。

根據(jù)半導體工藝流程，激光打標設(shè)備分為前道晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)和后道封測環(huán)節(jié)。其中，前道激光打標設(shè)備通常與切割或視覺檢測系統(tǒng)及其他機械自動化模塊集成為激光一體化設(shè)備，設(shè)備價值比較高，技術(shù)難度大，目前主要以進口設(shè)備為主。對于后道封測環(huán)節(jié)的激光打標設(shè)備，國內(nèi)企業(yè)經(jīng)過多年的技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用經(jīng)驗積累，目前技術(shù)比較成熟，國產(chǎn)激光打標設(shè)備占比超過 50%，但在全自動激光打標應(yīng)用領(lǐng)域，由于技術(shù)門檻較高和應(yīng)用推廣不足，該領(lǐng)域還是以德國 ROFIN、韓國 EO 等進口設(shè)備為主。

4、半導體測試設(shè)備行業(yè)壁壘

半導體測試設(shè)備行業(yè)屬于技術(shù)密集型和資本密集型相結(jié)合的行業(yè)，集計算機、自動化、通信、電子和微電子等技術(shù)于一身，對產(chǎn)業(yè)化運作有著很高的要求，在技術(shù)、人才、客戶資源、資金、產(chǎn)業(yè)整合方面存在較高的進入壁壘，具體如下：

（1）技術(shù)壁壘

半導體測試系統(tǒng)涵蓋多門學科的技術(shù)，包括計算機、自動化、通信、電子和微電子等，為典型的技術(shù)密集、知識密集的高科技行業(yè)，用戶對測試系統(tǒng)的可靠性、穩(wěn)定性和一致性要求較高，由于芯片技術(shù)和復雜程度不斷提升，測試設(shè)備企業(yè)須具有非常強大的研發(fā)能力，產(chǎn)品持續(xù)迭代升級，方可應(yīng)對客戶不斷提高的測試參數(shù)和功能以及效率要求。半導體測試系統(tǒng)的技術(shù)壁壘也比較高。具體技術(shù)壁壘如下：

A、隨著制造成本的提升，測試效率要求不斷提高，測試系統(tǒng)的并行測試能力不斷提升。在相同的測試時間內(nèi)，并行測試芯片數(shù)量越多，則測試效率越高，平均每顆芯片的測試成本越低。此外，隨著并行測試數(shù)越多，對測試系統(tǒng)的功能、測試系統(tǒng)資源同步能力、測試資源密度和響應(yīng)速度及并行測試數(shù)據(jù)的一致性及穩(wěn)定性要求就越高。

B、隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，功能復雜的混合信號芯片越來越多，通常內(nèi)部含有MCU 系統(tǒng)、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、數(shù)字通信接口、無線通信接口、無線快充、模擬信號處理或者功率驅(qū)動系統(tǒng)等；另一方面，隨著汽車電子和新能源下游應(yīng)用的推廣，功率半導體和第三代半導體器件不僅需要測試直流參數(shù)，還需要測試更多范圍的動態(tài)參數(shù)，對于測試機系統(tǒng)的功能模塊要求也越來越高。

C、隨著芯片的技術(shù)和封裝水平的提升，對測試系統(tǒng)測試精度的要求不斷提升。客戶對測試系統(tǒng)各方面的精度要求在提升，測試電壓精確到微伏（μV）、測試電流精確到皮安（pA）、測試時間精確到百皮秒（100pS）。對于極小電流和極小電壓的測試，測試設(shè)備要通過一些技術(shù)訣竅來克服信號干擾導致測試精度偏差的難題。因此，從測試系統(tǒng)的設(shè)計來看，每個元器件的選擇、電路板的布局到系統(tǒng)平臺結(jié)構(gòu)的設(shè)計都需要深厚的基礎(chǔ)儲備和豐富的測試經(jīng)驗。

D、隨著大功率器件及第三代半導體功率器件的廣泛應(yīng)用，芯片的電路密度和功率密度更大，功率半導體測試系統(tǒng)的電流/電壓及脈寬控制精度的測試要求不斷提高。企業(yè)要具備較強的研發(fā)能力，能夠快速響應(yīng)客戶的技術(shù)要求，實現(xiàn)產(chǎn)品技術(shù)的升級和迭代。

E、測試系統(tǒng)軟件須滿足通用化軟件開發(fā)平臺的要求，符合客戶使用習慣。從技術(shù)層面來看，某個系列的測試系統(tǒng)會稱為一個測試平臺，在這個系列的測試平臺上，測試系統(tǒng)能夠滿足某大類（如模擬或數(shù)?；旌闲盘枺┬酒臏y試需求，客戶可以根據(jù)具體不同應(yīng)用要求的芯片在測試平臺上進行測試程序的二次開發(fā)。因此，隨著集成電路產(chǎn)品門類的增加，客戶要求測試設(shè)備具備通用化軟件開發(fā)平臺，方便客戶進行二次應(yīng)用程序開發(fā)，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的測試需求。

⑥測試系統(tǒng)對數(shù)據(jù)整合、分析能力的提升以及與客戶生產(chǎn)管理系統(tǒng)集成要求的提升。

一方面，客戶要求測試設(shè)備對芯片的狀態(tài)、參數(shù)監(jiān)控、生產(chǎn)質(zhì)量等數(shù)據(jù)進行大數(shù)據(jù)分析，另一方面，隨著測試功能模塊的增多，整套測試系統(tǒng)的各個測試模塊測試的數(shù)據(jù)須進行嚴格對應(yīng)合并，保證最終收取的數(shù)據(jù)與半導體元芯片嚴格一一對應(yīng)，并以最終合并的數(shù)據(jù)進行分析對被測的芯片進行綜合分檔分級。如：汽車電子要求測試系統(tǒng)須滿足靜態(tài) PAT，動態(tài) PAT 及離線 PAT 技術(shù)的要求，即通過對測試器件關(guān)鍵參數(shù)進行統(tǒng)計計算得到該批次器件性能的分布，然后自動地提高測試的標準，保證測試通過的器件的一致性和穩(wěn)定性。

半導體測試系統(tǒng)企業(yè)需要具備多年的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品應(yīng)用和服務(wù)經(jīng)驗，才能積累和儲備大量的技術(shù)數(shù)據(jù)，一方面，對產(chǎn)品的升級迭代做出快速的響應(yīng)，滿足半導體行業(yè)產(chǎn)品更新?lián)Q代較快的要求；另一方面，深厚的技術(shù)儲備能確保設(shè)備性能參數(shù)持續(xù)改良優(yōu)化，確保測試系統(tǒng)在量產(chǎn)中的長期穩(wěn)定性和可靠性。對于行業(yè)新進入者，需要經(jīng)過較長時間的技術(shù)儲備和產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)驗積累，才能和業(yè)內(nèi)已經(jīng)占據(jù)技術(shù)優(yōu)勢的企業(yè)相抗衡，較難在短期內(nèi)全面掌握所涉及的技術(shù)，因此本行業(yè)具有較高的技術(shù)壁壘。

（2）人才壁壘

半導體測試設(shè)備行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)。目前，本科大專院校中沒有對應(yīng)的學科專業(yè)。因此，半導體測試設(shè)備行業(yè)人才主要靠企業(yè)培養(yǎng)。研發(fā)技術(shù)人員不僅需要掌握各類技術(shù)、材料、工藝、設(shè)備、微系統(tǒng)集成等多領(lǐng)域?qū)I(yè)知識，還需要經(jīng)過多年的實踐工作并在資深技術(shù)人員的“傳、幫、帶”下，才能完成測試設(shè)備的知識儲備和從業(yè)經(jīng)驗，才能成長為具備豐富經(jīng)驗的高端人才；對于企業(yè)的管理人才則需要具備豐富的從業(yè)經(jīng)驗，熟悉產(chǎn)業(yè)的運作規(guī)律，把握行業(yè)的周期起伏，才能指定符合企業(yè)發(fā)展階段的發(fā)展戰(zhàn)略；在市場拓展和銷售方面，也需具備相當?shù)募夹g(shù)基礎(chǔ)和豐富的行業(yè)經(jīng)驗，以便能夠及時、準確傳遞公司產(chǎn)品技術(shù)特點和客戶的技術(shù)要求，因此企業(yè)的技術(shù)營銷型人才一般通過售后服務(wù)或技術(shù)部門內(nèi)部轉(zhuǎn)化，成熟銷售人員的培養(yǎng)周期長。

目前，國內(nèi)半導體測試設(shè)備行業(yè)專業(yè)人才較為匱乏，雖然近年來專業(yè)人才的培養(yǎng)規(guī)模不斷擴大，但仍然供不應(yīng)求，難以滿足行業(yè)發(fā)展的需要，而行業(yè)內(nèi)具有豐富經(jīng)驗的高端技術(shù)人才更是相對稀缺。對于行業(yè)領(lǐng)先的企業(yè)來說，在企業(yè)的發(fā)展歷程中，都會形成了企業(yè)人才培養(yǎng)的方法和路徑，并形成人才梯隊。隨著半導體行業(yè)處于長期景氣周期，有技術(shù)和經(jīng)驗的高端人才的需求缺口日益擴大，人才的聚集和儲備成為市場新進入企業(yè)的重要壁壘。

（3）資金和規(guī)模壁壘

為保持技術(shù)的先進性、工藝的領(lǐng)先性和產(chǎn)品的市場競爭力，半導體測試設(shè)備企業(yè)在技術(shù)研發(fā)方面的資金投入也越來越大。企業(yè)的產(chǎn)品必須達到一定的資金規(guī)模和業(yè)務(wù)規(guī)模，才能獲得生存和發(fā)展的空間，從研發(fā)項目立項、試產(chǎn)、驗證、優(yōu)化、市場推廣到銷售的各個環(huán)節(jié)都需要投入較高人力成本和研發(fā)費用。半導體產(chǎn)品類別眾多，市場變化快、性能參數(shù)不盡相同，對測試設(shè)備企業(yè)的產(chǎn)品規(guī)格和性能指標都提出了較高的要求，企業(yè)需要較好的現(xiàn)金流支持企業(yè)長期的研發(fā)投入和長周期的客戶認證投入。

（4）產(chǎn)業(yè)協(xié)同壁壘

隨著半導體產(chǎn)業(yè)分工的進一步精細化，在 Fabless 模式下，產(chǎn)業(yè)協(xié)同壁壘主要體現(xiàn)在測試設(shè)備企業(yè)須與半導體上游設(shè)計企業(yè)、與晶圓制造企業(yè)及封裝測試企業(yè)等建立穩(wěn)定緊密的合作關(guān)系。由于測試設(shè)備是在封測企業(yè)產(chǎn)線端對晶圓或芯片是否滿足設(shè)計的功能和性能進行檢測，因此，測試設(shè)備企業(yè)往往在芯片設(shè)計階段就已與設(shè)計企業(yè)針對芯片的測試功能、參數(shù)要求以及測試程序進行深入的交流。在下游封裝測試企業(yè)端，測試設(shè)備企業(yè)，根據(jù)封測企業(yè)的要求，結(jié)合設(shè)計企業(yè)的要求，提供符合客戶使用習慣和生產(chǎn)標準的測試程序。通過與上下游客戶的協(xié)作，最終確保芯片測試的質(zhì)量、效率和穩(wěn)定性滿足上下游的要求。在產(chǎn)業(yè)協(xié)同的大背景下，半導體測試系統(tǒng)企業(yè)前期的投入較大，協(xié)同積累需要相當時間。對于新進入者而言，市場先進入者已建立并穩(wěn)定運營的產(chǎn)業(yè)協(xié)同將構(gòu)成其進入本行業(yè)的一大壁壘。

（5）客戶資源壁壘

客戶資源積累需要長時間市場耕耘，在獲得半導體客戶訂單前，下游客戶特別是國際知名企業(yè)認證的周期較長，測試設(shè)備的替換需要一系列的認證流程，包括企業(yè)成立時間、發(fā)展歷史、環(huán)保合規(guī)性、測試設(shè)備質(zhì)量，內(nèi)部生產(chǎn)管理流程規(guī)范性是否達到客戶的要求等方面；客戶還需要結(jié)合產(chǎn)線安排和芯片項目的情況，對測試系統(tǒng)穩(wěn)定性、精密性與可靠性、一致性等特性要求進行驗證。因此，客戶認證周期為 6-24 個月，個別國際大型客戶的認證審核周期可能長達 2-3 年。客戶嚴格的認證制度增加了新進入的企業(yè)獲得訂單的難度和投入。

目錄

第一章　半導體設(shè)備行業(yè)基本概述

1.1　半導體的定義和分類

1.1.1　半導體的定義

1.1.2　半導體的分類

1.1.3　半導體的應(yīng)用

1.2　半導體設(shè)備行業(yè)概述

1.2.1　行業(yè)概念界定

1.2.2　行業(yè)主要分類

第二章　2016-2021年中國半導體設(shè)備行業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析

2.1　政策環(huán)境（Political）

2.1.1　半導體設(shè)備政策匯總

2.1.2　半導體制造利好政策

2.1.3　集成電路企業(yè)稅收優(yōu)惠

2.1.4　集成電路產(chǎn)業(yè)政策扶持

2.1.5　產(chǎn)業(yè)投資基金的支持

2.2　經(jīng)濟環(huán)境（Economic）

2.2.1　宏觀經(jīng)濟發(fā)展概況

2.2.2　工業(yè)經(jīng)濟運行情況

2.2.3　固定資產(chǎn)投資狀況

2.2.4　未來經(jīng)濟發(fā)展展望

2.3　社會環(huán)境（social）

2.3.1　電子信息產(chǎn)業(yè)增速

2.3.2　電子信息設(shè)備規(guī)模

2.3.3　研發(fā)經(jīng)費投入增長

2.3.4　科技人才隊伍壯大

2.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）

2.4.1　企業(yè)研發(fā)投入

2.4.2　技術(shù)迭代歷程

2.4.3　企業(yè)專利狀況

第三章　2016-2021年半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展狀況

3.1　半導體產(chǎn)業(yè)鏈分析

3.1.1　半導體產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)

3.1.2　半導體產(chǎn)業(yè)鏈流程

3.1.3　半導體產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移

3.2　2016-2021年全球半導體市場總體分析

3.2.1　市場銷售規(guī)模

3.2.2　行業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

3.2.3　區(qū)域市場格局

3.2.4　產(chǎn)業(yè)研發(fā)投入

3.2.5　市場競爭狀況

3.2.6　企業(yè)支出狀況

3.2.7　企業(yè)研發(fā)投入

3.2.8　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景

3.3　2016-2021年中國半導體市場運行狀況

3.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

3.3.2　產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模

3.3.3　市場規(guī)?，F(xiàn)狀

3.3.4　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布

3.3.5　市場機會分析

3.4　2016-2021年中國IC設(shè)計行業(yè)發(fā)展分析

3.4.1　行業(yè)發(fā)展歷程

3.4.2　市場發(fā)展規(guī)模

3.4.3　企業(yè)發(fā)展狀況

3.4.4　產(chǎn)業(yè)地域分布

3.4.5　專利申請情況

3.4.6　資本市場表現(xiàn)

3.4.7　行業(yè)面臨挑戰(zhàn)

3.5　2016-2021年中國IC制造行業(yè)發(fā)展分析

3.5.1　制造工藝分析

3.5.2　晶圓加工技術(shù)

3.5.3　市場發(fā)展規(guī)模

3.5.4　企業(yè)排名狀況

3.5.5　行業(yè)發(fā)展措施

3.6　2016-2021年中國IC封裝測試行業(yè)發(fā)展分析

3.6.1　封裝基本介紹

3.6.2　封裝技術(shù)趨勢

3.6.3　芯片測試原理

3.6.4　市場發(fā)展規(guī)模

3.6.5　芯片測試分類

3.6.6　企業(yè)排名狀況

3.6.7　技術(shù)發(fā)展趨勢

第四章　2016-2021年半導體設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜合分析

4.1　2016-2021年全球半導體設(shè)備市場發(fā)展形勢

4.1.1　市場銷售規(guī)模

4.1.2　市場結(jié)構(gòu)分析

4.1.3　市場區(qū)域分布

4.1.4　重點廠商介紹

4.1.5　廠商競爭格局

4.2　2016-2021年中國半導體設(shè)備市場發(fā)展現(xiàn)狀

4.2.1　市場銷售規(guī)模

4.2.2　市場需求分析

4.2.3　企業(yè)競爭態(tài)勢

4.2.4　企業(yè)產(chǎn)品布局

4.2.5　市場國產(chǎn)化率

4.2.6　行業(yè)發(fā)展成就

4.3　半導體產(chǎn)業(yè)核心設(shè)備——晶圓制造設(shè)備市場運行分析

4.3.1　設(shè)備基本概述

4.3.2　核心環(huán)節(jié)分析

4.3.3　主要廠商介紹

4.3.4　廠商競爭格局

4.3.5　市場發(fā)展規(guī)模

4.4　半導體產(chǎn)業(yè)核心設(shè)備——晶圓加工設(shè)備市場運行分析

4.4.1　設(shè)備基本概述

4.4.2　市場發(fā)展規(guī)模

4.4.3　市場價值構(gòu)成

4.4.4　市場競爭格局

4.5　半導體設(shè)備行業(yè)財務(wù)狀況分析

4.5.1　經(jīng)營狀況分析

4.5.2　盈利能力分析

4.5.3　營運能力分析

4.5.4　成長能力分析

4.5.5　現(xiàn)金流量分析

第五章　2016-2021年半導體光刻設(shè)備市場發(fā)展分析

5.1　半導體光刻環(huán)節(jié)基本概述

5.1.1　光刻工藝重要性

5.1.2　光刻工藝的原理

5.1.3　光刻工藝的流程

5.2　半導體光刻技術(shù)發(fā)展分析

5.2.1　光刻技術(shù)原理

5.2.2　光刻技術(shù)歷程

5.2.3　光學光刻技術(shù)

5.2.4　EUV光刻技術(shù)

5.2.5　X射線光刻技術(shù)

5.2.6　納米壓印光刻技術(shù)

5.3　2016-2021年光刻機市場發(fā)展綜述

5.3.1　光刻機工作原理

5.3.2　光刻機發(fā)展歷程

5.3.3　光刻機產(chǎn)業(yè)鏈條

5.3.4　光刻機市場規(guī)模

5.3.5　光刻機競爭格局

5.3.6　光刻機技術(shù)差距

5.4　光刻設(shè)備核心產(chǎn)品——EUV光刻機市場狀況

5.4.1　EUV光刻機基本介紹

5.4.2　典型企業(yè)經(jīng)營狀況

5.4.3　EUV光刻機需求企業(yè)

5.4.4　EUV光刻機研發(fā)分析

第六章　2016-2021年半導體刻蝕設(shè)備市場發(fā)展分析

6.1　半導體刻蝕環(huán)節(jié)基本概述

6.1.1　刻蝕工藝介紹

6.1.2　刻蝕工藝分類

6.1.3　刻蝕工藝參數(shù)

6.2　干法刻蝕工藝發(fā)展優(yōu)勢分析

6.2.1　干法刻蝕優(yōu)點分析

6.2.2　干法刻蝕應(yīng)用分類

6.2.3　干法刻蝕技術(shù)演進

6.3　2016-2021年全球半導體刻蝕設(shè)備市場發(fā)展狀況

6.3.1　市場發(fā)展規(guī)模

6.3.2　市場競爭格局

6.3.3　設(shè)備研發(fā)支出

6.4　2016-2021年中國半導體刻蝕設(shè)備市場發(fā)展狀況

6.4.1　市場發(fā)展規(guī)模

6.4.2　企業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

6.4.3　市場需求狀況

6.4.4　市場發(fā)展機遇

第七章　2016-2021年半導體清洗設(shè)備市場發(fā)展分析

7.1　半導體清洗環(huán)節(jié)基本概述

7.1.1　清洗環(huán)節(jié)的重要性

7.1.2　清洗工藝類型比較

7.1.3　清洗設(shè)備技術(shù)原理

7.1.4　清洗設(shè)備主要類型

7.1.5　清洗設(shè)備主要部件

7.2　2016-2021年半導體清洗設(shè)備市場發(fā)展狀況

7.2.1　市場發(fā)展規(guī)模

7.2.2　市場競爭格局

7.2.3　市場發(fā)展機遇

7.2.4　市場發(fā)展趨勢

7.3　半導體清洗機領(lǐng)先企業(yè)布局狀況

7.3.1　迪恩士公司

7.3.2　盛美半導體

7.3.3　至純科技公司

7.3.4　國產(chǎn)化布局

第八章　2016-2021年半導體測試設(shè)備市場發(fā)展分析

8.1　半導體測試環(huán)節(jié)基本概述

8.1.1　測試流程介紹

8.1.2　前道工藝檢測

8.1.3　中后道的測試

8.2　2016-2021年半導體測試設(shè)備市場發(fā)展狀況

8.2.1　市場發(fā)展規(guī)模

8.2.2　市場競爭格局

8.2.3　細分市場結(jié)構(gòu)

8.2.4　設(shè)備制造廠商

8.2.5　主要產(chǎn)品介紹

8.3　半導體測試設(shè)備重點企業(yè)發(fā)展啟示

8.3.1　泰瑞達

8.3.2　愛德萬

8.4　半導體測試核心設(shè)備發(fā)展分析

8.4.1　測試機

8.4.2　分選機

8.4.3　探針臺

第九章　2016-2021年半導體產(chǎn)業(yè)其他設(shè)備市場發(fā)展分析

9.1　單晶爐設(shè)備

9.1.1　設(shè)備基本概述

9.1.2　設(shè)備數(shù)量規(guī)模

9.1.3　企業(yè)競爭格局

9.1.4　市場空間測算

9.2　氧化/擴散設(shè)備

9.2.1　設(shè)備基本概述

9.2.2　市場發(fā)展現(xiàn)狀

9.2.3　企業(yè)競爭格局

9.2.4　核心產(chǎn)品介紹

9.3　薄膜沉積設(shè)備

9.3.1　設(shè)備基本概述

9.3.2　市場發(fā)展現(xiàn)狀

9.3.3　企業(yè)競爭格局

9.3.4　市場前景展望

9.4　化學機械拋光設(shè)備

9.4.1　設(shè)備基本概述

9.4.2　市場發(fā)展規(guī)模

9.4.3　市場競爭格局

9.4.4　主要企業(yè)分析

第十章　2016-2021年國外半導體設(shè)備重點企業(yè)經(jīng)營狀況

10.1　A公司

10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.1.2　企業(yè)發(fā)展歷程

10.1.3　企業(yè)經(jīng)營狀況

10.1.4　企業(yè)核心產(chǎn)品

10.1.5　企業(yè)業(yè)務(wù)布局

10.1.6　企業(yè)發(fā)展前景

10.2　B公司

10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.2.2　企業(yè)經(jīng)營狀況

10.2.3　企業(yè)核心產(chǎn)品

10.2.4　企業(yè)發(fā)展前景

10.3　C公司

10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.3.2　企業(yè)發(fā)展歷程

10.3.3　企業(yè)經(jīng)營狀況

10.3.4　企業(yè)核心產(chǎn)品

10.3.5　企業(yè)發(fā)展前景

10.4　D公司

10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.4.2　企業(yè)經(jīng)營狀況

10.4.3　企業(yè)核心產(chǎn)品

10.4.4　企業(yè)發(fā)展前景

第十一章　國內(nèi)相關(guān)半導體企業(yè)經(jīng)營狀況分析

11.1　A公司

11.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.1.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點

11.1.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價格、利潤分析

11.1.4　財務(wù)狀況分析

11.1.5　核心競爭力分析

11.1.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.1.7　企業(yè)新動態(tài)

11.2　B公司

11.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.2.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點

11.2.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價格、利潤分析

11.2.4　財務(wù)狀況分析

11.2.5　核心競爭力分析

11.2.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.2.7　企業(yè)新動態(tài)

11.3　C公司

11.3.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.3.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點

11.3.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價格、利潤分析

11.3.4　財務(wù)狀況分析

11.3.5　核心競爭力分析

11.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.3.7　企業(yè)新動態(tài)

11.4　D公司

11.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.4.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點

11.4.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價格、利潤分析

11.4.4　財務(wù)狀況分析

11.4.5　核心競爭力分析

11.4.6　企業(yè)新動態(tài)

11.5　E公司

11.5.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.5.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點

11.5.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價格、利潤分析

11.5.4　財務(wù)狀況分析

11.5.5　核心競爭力分析

11.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.5.7　企業(yè)新動態(tài)

11.6　F公司

11.6.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.6.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點

11.6.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價格、利潤分析

11.6.4　財務(wù)狀況分析

11.6.5　核心競爭力分析

11.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.6.7　企業(yè)新動態(tài)

第十二章　半導體設(shè)備行業(yè)投資價值分析

12.1　半導體設(shè)備企業(yè)并購市場發(fā)展狀況

12.1.1　企業(yè)并購歷史回顧

12.1.2　行業(yè)并購特征分析

12.1.3　企業(yè)并購動機歸因

12.1.4　行業(yè)企業(yè)并購動態(tài)

12.2　中國半導體設(shè)備市場投資機遇分析

12.2.1　整體投資機遇分析

12.2.2　建廠加速拉動需求

12.2.3　產(chǎn)業(yè)政策扶持發(fā)展

12.3　半導體設(shè)備行業(yè)投資機會點分析

12.3.1　薄膜工藝設(shè)備

12.3.2　刻蝕工藝設(shè)備

12.3.3　光刻工藝設(shè)備

12.3.4　清洗工藝設(shè)備

12.4　半導體設(shè)備行業(yè)投資壁壘分析

12.4.1　技術(shù)壁壘分析

12.4.2　客戶驗證壁壘

12.4.3　競爭壁壘分析

12.4.4　資金壁壘分析

12.5　半導體設(shè)備行業(yè)投資風險分析

12.5.1　經(jīng)營風險分析

12.5.2　行業(yè)風險分析

12.5.3　宏觀環(huán)境風險

12.5.4　知識產(chǎn)權(quán)風險

12.5.5　人才資源風險

12.5.6　技術(shù)研發(fā)風險

12.6　半導體設(shè)備投資價值評估及建議

12.6.1　投資價值綜合評估

12.6.2　行業(yè)投資特點分析

12.6.3　行業(yè)投資策略建議

第十三章　中國行業(yè)標桿企業(yè)項目投資建設(shè)案例深度解析

13.1　半導體濕法設(shè)備制造項目

13.1.1　項目基本概述

13.1.2　資金需求測算

13.1.3　建設(shè)內(nèi)容規(guī)劃

13.1.4　經(jīng)濟效益分析

13.1.5　項目基本概述

13.1.6　資金需求測算

13.1.7　實施進度安排

13.1.8　經(jīng)濟效益分析

13.2　光刻機產(chǎn)業(yè)化項目

13.2.1　項目基本概述

13.2.2　資金需求測算

13.2.3　建設(shè)內(nèi)容規(guī)劃

13.2.4　經(jīng)濟效益分析

13.3　半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目

13.3.1　項目基本概述

13.3.2　資金需求測算

13.3.3　項目進度安排

13.3.4　項目投資價值

第十四章　2021-2027年中國半導體設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢及預測分析

14.1　中國半導體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢

14.1.1　技術(shù)發(fā)展利好

14.1.2　自主創(chuàng)新發(fā)展

14.1.3　產(chǎn)業(yè)地位提升

14.1.4　市場應(yīng)用前景

14.2　中國半導體設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景展望

14.2.1　政策支持發(fā)展

14.2.2　行業(yè)發(fā)展機遇

14.2.3　市場應(yīng)用需求

14.2.4　行業(yè)發(fā)展前景

14.3　2021-2027年中國半導體設(shè)備行業(yè)預測分析

14.3.1　2021-2027年中國半導體設(shè)備行業(yè)影響因素分析

14.3.2　2021-2027年中國半導體設(shè)備銷售規(guī)模預測