无码尹人久久相蕉无码_国产福利一区二区三区在线视频_人妻少妇不满足中文字幕_国产精品毛片久久久久久久

全球及中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模及競(jìng)爭(zhēng)格局分析（附報(bào)告目錄）

1、功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體可以分為功率 IC 和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品， MOSFET 和 IGBT 是未來 5 年增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的半導(dǎo)體功率器件。

  相關(guān)報(bào)告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2020-2026年全球與中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)全景專項(xiàng)研究與發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》

2、全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)

近年來，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)，市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2018 年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為 391 億美元，預(yù)計(jì)至 2021 年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至 441 億美元，年化增速為 4.1%。

資料來源：普華有策市場(chǎng)研究中心

3、中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)

目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術(shù)也正在取得突破。同時(shí)，中國(guó)也是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，2018 年市場(chǎng)需求規(guī)模達(dá)到 138 億美元，增速為9.5%，占全球需求比例高達(dá) 35%。預(yù)計(jì)未來中國(guó)功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持較高速度增長(zhǎng)，2021 年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 159 億美元，年化增速達(dá) 4.8%。

資料來源：普華有策市場(chǎng)研究中心

中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中前三大產(chǎn)品是電源管理 IC、MOSFET、IGBT，三者市場(chǎng)規(guī)模占 2018 年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比例分別為60.98%，20.21%與 13.92%。電源管理 IC 在電子設(shè)備中承擔(dān)變換、分配、檢測(cè)等電能管理功能。

2018 年我國(guó)電源管理 IC 市場(chǎng)規(guī)模為 84.3 億美元，2016-2018 年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 2.88%。電源管理 IC 目前有提升集成度、模塊化、數(shù)字化的發(fā)展趨勢(shì)，同時(shí) GaN、SiC 等新型材料研發(fā)與應(yīng)用也為電源管理 IC 發(fā)展注入全新動(dòng)力。MOSFET 全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。MOSFET 具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，應(yīng)用范圍涵蓋電源管理、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)， MOSFET 市場(chǎng)規(guī)模占全球功率分立器件的市場(chǎng)份額超過 40%。

2018 年我國(guó) MOSFET 市場(chǎng)規(guī)模為 27.92 億美元，2016 年-2018 年復(fù)合年均增長(zhǎng)率為 15.03%，高于功率半導(dǎo)體行業(yè)平均的增速。在下游的應(yīng)用領(lǐng)域中，消費(fèi)電子、通信、工業(yè)控制、汽車電子占據(jù)了主要的市場(chǎng)份額，其中消費(fèi)電子與汽車電子占比最高。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，主板、顯卡的升級(jí)換代、快充、Type-C 接口的持續(xù)滲透持續(xù)帶動(dòng) MOSFET 的市場(chǎng)需求，在汽車電子領(lǐng)域，MOSFET 在電動(dòng)馬達(dá)輔助驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向及電制動(dòng)等動(dòng)力控制系統(tǒng)，以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領(lǐng)域均發(fā)揮重要作用，有著廣泛的應(yīng)用市場(chǎng)及發(fā)展前景。IGBT 全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管 BJT 和 MOSFET 組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率器件。IGBT 具有電導(dǎo)調(diào)制能力，相對(duì)于 MOSFET 和雙極晶體管具有較強(qiáng)的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降。IGBT 的開關(guān)特性可以實(shí)現(xiàn)直流電和交流電之間的轉(zhuǎn)化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，可以應(yīng)用于逆變器、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

2016 年我國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模為 15.40 億美元，2018 年為19.23 億美元，對(duì)應(yīng)復(fù)合年均增長(zhǎng)率為 11.74%。IGBT 是國(guó)家 16 個(gè)重大技術(shù)突破專項(xiàng)中的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。在中低電壓領(lǐng)域，IGBT 廣泛應(yīng)用于新能源汽車和消費(fèi)電子中；在 1700V 以上的高電壓領(lǐng)域，IGBT 廣泛應(yīng)用于軌道交通、清潔發(fā)電、智能電網(wǎng)等重要領(lǐng)域。

我國(guó) IGBT 起步較晚，未來進(jìn)口替代空間巨大，目前在軌交領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破和全面的國(guó)產(chǎn)化。此外，在新能源汽車領(lǐng)域，IGBT 是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，隨著未來新能源汽車等新興市場(chǎng)的快速發(fā)展，IGBT 將迎來黃金發(fā)展期。目前我國(guó)已經(jīng)通過大力研發(fā)與外延并購(gòu)，在芯片設(shè)計(jì)與工藝上不斷積累，實(shí)現(xiàn)了功率二極管、整流橋、晶閘管等傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的突破，具備與國(guó)外一線品牌競(jìng)爭(zhēng)的水平實(shí)力；在中低壓 MOSFET 產(chǎn)品、特定領(lǐng)域的電源管理 IC、MOSFET、IGBT 等產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)亦有所成就。在國(guó)家政策支持，產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐漸完善，人才水平逐漸提高的背景下，中國(guó)本土企業(yè)有望進(jìn)一步向高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域邁進(jìn)。

4、同行業(yè)主要企業(yè)情況

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，國(guó)外同行業(yè)企業(yè)主要包括英飛凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor ） 、 德 州 儀 器 （ Texas Instruments ） 、 意 法 半 導(dǎo) 體 （ STMicroelectronics）；國(guó)內(nèi)同行業(yè)企業(yè)主要包括士蘭微、華微電子、揚(yáng)杰科技、華虹半導(dǎo)體及先進(jìn)半導(dǎo)體。